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产品规格

封装/外壳	TO-204AA，TO-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	托盘
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 10A，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Power - Max	200W
电流 - 集电极截止（最大值）	50μA
Current - Collector (Ic) (Max)	25A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.8V @ 2.5A，25A
频率 - 跃迁	40MHz
关键词

产品资料

数据列表	2N6338,41
标准包装	100

封装/外壳 TO-204AA，TO-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-204AA，TO-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-204AA，TO-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-204AA，TO-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 托盘   ON Semiconductor 包装 托盘   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 托盘   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 托盘    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-3   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10A，2V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10A，2V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V   Power - Max 200W  ON Semiconductor Power - Max 200W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200W   电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA   Current - Collector (Ic) (Max) 25A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 25A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 25A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 25A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 2.5A，25A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 2.5A，25A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 2.5A，25A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 2.5A，25A   频率 - 跃迁 40MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 40MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 40MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 40MHz