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2N7000RLRA
2N7000RLRA -
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
2N7000RLRA
仓库库存编号：
2N7000RLRAOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 60V 200mA（Ta） 350mW（Tc） TO-92-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2N7000RLRA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
5 欧姆 @ 500mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
200mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
60pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA
功率耗散（最大值）
350mW（Tc）
漏源电压（Vdss）
60V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
2N7000RLRAOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
型号：
2N7000_D26Z
仓库库存编号：
2N7000_D26ZCT-ND
别名：2N7000_D26ZCT
无铅
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包装 剪切带（CT）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA
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功率耗散（最大值） 350mW（Tc）
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