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产品规格

封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TP
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	140 @ 500mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Power - Max	1W
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	130MHz
关键词

产品资料

数据列表	2SB1216/2SD1816
标准包装	500

封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   ON Semiconductor 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TP  ON Semiconductor 供应商器件封装 TP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TP   晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 500mA，5V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 500mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 500mA，5V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 500mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V   Power - Max 1W  ON Semiconductor Power - Max 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 4A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 130MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 130MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 130MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 130MHz