关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	SC-71
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	3-NMP
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	140 @ 100mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	1W
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	300mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 100mA，2A
频率 - 跃迁	150MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	2SC4487S-ANOSCT

封装/外壳 SC-71  ON Semiconductor 封装/外壳 SC-71  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-71  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-71   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 3-NMP  ON Semiconductor 供应商器件封装 3-NMP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-NMP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-NMP   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 1W  ON Semiconductor Power - Max 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 300mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 100mA，2A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 100mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 100mA，2A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 100mA，2A   频率 - 跃迁 150MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 150MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz