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产品规格

封装/外壳	TO-220-3（SMT）标片
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	FLP
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 100mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	160V
Power - Max	1.5W
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	450mV @ 50mA，500mA
频率 - 跃迁	120MHz
关键词

产品资料

标准包装	1,000

封装/外壳 TO-220-3（SMT）标片  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3（SMT）标片  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3（SMT）标片  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3（SMT）标片   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  ON Semiconductor 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 FLP  ON Semiconductor 供应商器件封装 FLP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 FLP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 FLP   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，5V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，5V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V   Power - Max 1.5W  ON Semiconductor Power - Max 1.5W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.5W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.5W   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 450mV @ 50mA，500mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 450mV @ 50mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 450mV @ 50mA，500mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 450mV @ 50mA，500mA   频率 - 跃迁 120MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 120MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz