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2SJ652-1E - 

MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3

ON Semiconductor 2SJ652-1E
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
2SJ652-1E
仓库库存编号：
2SJ652-1EOS-ND
描述：
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 P 沟道 28A（Ta） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220F-3SG
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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2SJ652-1E产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220F-3SG  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  80nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  38 毫欧 @ 14A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4V，10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  28A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  4360pF @ 20V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  -  
  功率耗散（最大值）  2W（Ta），30W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 2SJ652
标准包装 50
其它名称 2SJ652-1E-ND
2SJ652-1EOS

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