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2SK3666-2-TB-E - 

JFET NCH 30V 200MW 3CP

ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
2SK3666-2-TB-E
仓库库存编号：
2SK3666-2-TB-EOSCT-ND
描述：
JFET NCH 30V 200MW 3CP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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2SK3666-2-TB-E产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  3-CP  
  FET 类型  N 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  4pF @ 10V  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  Power - Max  200mW  
  不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）  600μA @ 10V  
  不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）  180mV @ 1μA  
  电阻 - RDS（开）  200 欧姆  
  漏极电流（Id） - 最大值  10mA  
关键词         

产品资料
数据列表 2SK3666
标准包装 1
其它名称 2SK3666-2-TB-EOSCT

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