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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	3-CP
FET 类型	N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4pF @ 10V
漏源电压（Vdss）	30V
Power - Max	200mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	2.5mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	180mV @ 1μA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	30V
电阻 - RDS（开）	200 欧姆
漏极电流（Id） - 最大值	10mA
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - JFET 零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 3-CP  ON Semiconductor 供应商器件封装 3-CP  晶体管 - JFET 供应商器件封装 3-CP  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 3-CP   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V   漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V   Power - Max 200mW  ON Semiconductor Power - Max 200mW  晶体管 - JFET Power - Max 200mW  ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 200mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2.5mA @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2.5mA @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2.5mA @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2.5mA @ 10V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  ON Semiconductor 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V   电阻 - RDS（开） 200 欧姆  ON Semiconductor 电阻 - RDS（开） 200 欧姆  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 200 欧姆  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 200 欧姆   漏极电流（Id） - 最大值 10mA  ON Semiconductor 漏极电流（Id） - 最大值 10mA  晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 10mA  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 10mA