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2SK3738-TL-E
2SK3738-TL-E -
MOSFET N-CH 40V SC-75
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
2SK3738-TL-E
仓库库存编号：
2SK3738-TL-EOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 40V SC-75
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 40V 1mA 100mW Surface Mount SMCP
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2SK3738-TL-E产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-75，SOT-416
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
过期
供应商器件封装
SMCP
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1.7pF @ 10V
漏源电压（Vdss）
40V
Power - Max
100mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
50μA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
2.3V @ 1μA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
40V
电阻 - RDS（开）
-
漏极电流（Id） - 最大值
1mA
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
2SK3738-TL-EOSCT
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封装/外壳 SC-75，SOT-416
ON Semiconductor 封装/外壳 SC-75，SOT-416
晶体管 - JFET 封装/外壳 SC-75，SOT-416
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 SC-75，SOT-416
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）
晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - JFET 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -
包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期
供应商器件封装 SMCP
ON Semiconductor 供应商器件封装 SMCP
晶体管 - JFET 供应商器件封装 SMCP
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 SMCP
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1.7pF @ 10V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1.7pF @ 10V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1.7pF @ 10V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1.7pF @ 10V
漏源电压（Vdss） 40V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 40V
晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 40V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 40V
Power - Max 100mW
ON Semiconductor Power - Max 100mW
晶体管 - JFET Power - Max 100mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 100mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50μA @ 10V
ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50μA @ 10V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50μA @ 10V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50μA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 2.3V @ 1μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 2.3V @ 1μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 2.3V @ 1μA
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 2.3V @ 1μA
电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V
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晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V
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电阻 - RDS（开） -
ON Semiconductor 电阻 - RDS（开） -
晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -
漏极电流（Id） - 最大值 1mA
ON Semiconductor 漏极电流（Id） - 最大值 1mA
晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 1mA
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