关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	SC-75，SOT-416
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SMCP
FET 类型	N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4pF @ 10V
漏源电压（Vdss）	30V
Power - Max	100mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	2.5mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	180mV @ 1μA
电阻 - RDS（开）	200 欧姆
漏极电流（Id） - 最大值	10mA
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 SC-75，SOT-416  ON Semiconductor 封装/外壳 SC-75，SOT-416  晶体管 - JFET 封装/外壳 SC-75，SOT-416  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 SC-75，SOT-416   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 SMCP  ON Semiconductor 供应商器件封装 SMCP  晶体管 - JFET 供应商器件封装 SMCP  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 SMCP   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V   漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V   Power - Max 100mW  ON Semiconductor Power - Max 100mW  晶体管 - JFET Power - Max 100mW  ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 100mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2.5mA @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2.5mA @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2.5mA @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2.5mA @ 10V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA   电阻 - RDS（开） 200 欧姆  ON Semiconductor 电阻 - RDS（开） 200 欧姆  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 200 欧姆  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 200 欧姆   漏极电流（Id） - 最大值 10mA  ON Semiconductor 漏极电流（Id） - 最大值 10mA  晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 10mA  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 10mA