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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	上次购买时间
供应商器件封装	3-CP
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	1.58nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	3.7 欧姆 @ 80mA，4V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	150mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	250mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	3LN01C
标准包装	3,000

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 上次购买时间  ON Semiconductor 零件状态 上次购买时间  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 3-CP  ON Semiconductor 供应商器件封装 3-CP  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 3-CP  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 3-CP   技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±10V  ON Semiconductor Vgs（最大值） ±10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±10V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.58nC @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.58nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.58nC @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.58nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 欧姆 @ 80mA，4V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 欧姆 @ 80mA，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 欧姆 @ 80mA，4V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 欧姆 @ 80mA，4V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4V  ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4V   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 150mA（Ta）  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 150mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 150mA（Ta）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 150mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 10V   FET 功能 -  ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） 250mW（Ta）  ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 250mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 250mW（Ta）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 250mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V