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3LP01M-TL-H
3LP01M-TL-H -
MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP
不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
3LP01M-TL-H
仓库库存编号：
3LP01M-TL-HOSCT-ND
描述：
MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 30V 100mA（Ta） 150mW（Ta） 3-MCP
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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3LP01M-TL-H产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70，SOT-323
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
3-MCP
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
1.43nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
10.4 欧姆 @ 50mA，4V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7.5pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）
漏源电压（Vdss）
30V
关键词
产品资料
数据列表
3LP01M
标准包装
1
其它名称
3LP01M-TL-HOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
型号：
SSM3K15AFU,LF
仓库库存编号：
SSM3K15AFULFCT-ND
别名：SSM3K15AFULFCT
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.1A USM
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
型号：
SSM3J15FU,LF
仓库库存编号：
SSM3J15FULFCT-ND
别名：SSM3J15FULFCT
无铅
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
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ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）
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ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
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包装 剪切带（CT）
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晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
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零件状态 不可用于新设计
ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 3-MCP
ON Semiconductor 供应商器件封装 3-MCP
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技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）
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Vgs（最大值） ±10V
ON Semiconductor Vgs（最大值） ±10V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±10V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.43nC @ 10V
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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.4 欧姆 @ 50mA，4V
ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.4 欧姆 @ 50mA，4V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.4 欧姆 @ 50mA，4V
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4V
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FET 类型 P 沟道
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功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
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漏源电压（Vdss） 30V
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晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V
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