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5LN01C-TB-E
5LN01C-TB-E -
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
5LN01C-TB-E
仓库库存编号：
5LN01C-TB-EOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-CP
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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5LN01C-TB-E产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
3-CP
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
1.57nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
7.8 欧姆 @ 50mA，4V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6.6pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）
漏源电压（Vdss）
50V
关键词
产品资料
数据列表
5LN01C
标准包装
1
其它名称
5LN01C-TB-EOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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