BBS3002-TL-1E,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
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BBS3002-TL-1E
BBS3002-TL-1E -
MOSFET P-CH 60V 100A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
BBS3002-TL-1E
仓库库存编号：
BBS3002-TL-1EOSCT-ND
描述：
MOSFET P-CH 60V 100A
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BBS3002-TL-1E产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
D2PAK（TO-263）
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
280nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
5.8 毫欧 @ 50A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
13200pF @ 20V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
功率耗散（最大值）
90W（Tc）
漏源电压（Vdss）
60V
关键词
产品资料
数据列表
BBS3002
标准包装
1
其它名称
BBS3002-TL-1EOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号：
SUM110P06-07L-E3
仓库库存编号：
SUM110P06-07L-E3CT-ND
别名：SUM110P06-07L-E3-ND
SUM110P06-07L-E3CT
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详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
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别名：BBS3002-DL-1EOSCT
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