BC337G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BC337G
BC337G -
TRANS NPN 45V 0.8A TO92
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
BC337G
仓库库存编号:
BC337GOS-ND
描述:
TRANS NPN 45V 0.8A TO92
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 800mA 210MHz 625mW Through Hole TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BC337G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
100 @ 100mA,1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Power - Max
625mW
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA
Current - Collector (Ic) (Max)
800mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
700mV @ 50mA,500mA
频率 - 跃迁
210MHz
关键词
产品资料
数据列表
BC337
标准包装
5,000
其它名称
BC337GOS
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封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 散装
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零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-92-3
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 100mA,1V
ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 100mA,1V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 100mA,1V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Power - Max 625mW
ON Semiconductor Power - Max 625mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 625mW
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电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
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Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 700mV @ 50mA,500mA
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