BC846BDW1T1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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BC846BDW1T1G - 

TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363

ON Semiconductor BC846BDW1T1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BC846BDW1T1G
仓库库存编号：
BC846BDW1T1GOSCT-ND
描述：
TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BC846BDW1T1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SC-88/SC70-6/SOT-363  
  晶体管类型  2 NPN（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  200 @ 2mA，5V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  15nA（ICBO）  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  600mV @ 5mA，100mA  
  频率 - 跃迁  100MHz  
  功率 - 最大值  380mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  65V  
关键词         

产品资料
数据列表 BC84(6, 7)BDW1T1, BC848CDW1T1
标准包装 1
其它名称 BC846BDW1T1GOSCT

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