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产品规格

封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-225AA
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 500mA，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Power - Max	36W
电流 - 集电极截止（最大值）	100μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	800mV @ 300mA，3A
频率 - 跃迁	3MHz
关键词

产品资料

数据列表	BD435,437,439,441
标准包装	500
其它名称	BD441G-ND BD441GOS

封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   ON Semiconductor 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-225AA  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-225AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-225AA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-225AA   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 500mA，1V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 500mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 500mA，1V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 500mA，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 36W  ON Semiconductor Power - Max 36W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 36W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 36W   电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 4A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 800mV @ 300mA，3A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 800mV @ 300mA，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 800mV @ 300mA，3A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 800mV @ 300mA，3A   频率 - 跃迁 3MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 3MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 3MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 3MHz