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BSR58LT1G
BSR58LT1G -
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
BSR58LT1G
仓库库存编号:
BSR58LT1G-ND
描述:
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET N-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSR58LT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
Power - Max
350mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
8mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
800mV @ 1μA
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
40V
电阻 - RDS(开)
60 欧姆
关键词
产品资料
数据列表
BSR58LT1
标准包装
3,000
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 带卷(TR)
ON Semiconductor 包装 带卷(TR)
晶体管 - JFET 包装 带卷(TR)
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 带卷(TR)
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
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供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
Power - Max 350mW
ON Semiconductor Power - Max 350mW
晶体管 - JFET Power - Max 350mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 350mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 8mA @ 15V
ON Semiconductor 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 8mA @ 15V
晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 8mA @ 15V
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不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 800mV @ 1μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 800mV @ 1μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 800mV @ 1μA
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电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V
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晶体管 - JFET 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V
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电阻 - RDS(开) 60 欧姆
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