BSS84LT1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
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BSS84LT1G
BSS84LT1G -
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
BSS84LT1G
仓库库存编号：
BSS84LT1GOSCT-ND
描述：
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSS84LT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
10 欧姆 @ 100mA，5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
130mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
30pF @ 5V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）
漏源电压（Vdss）
50V
关键词
产品资料
数据列表
B(V)SS84L Datasheet
标准包装
1
其它名称
BSS84LT1GOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号：
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仓库库存编号：
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晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 50V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 50V
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