BUH150,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BUH150
BUH150 -
TRANS NPN 700V 15A TO-220AB
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
BUH150
仓库库存编号:
BUH150-ND
描述:
TRANS NPN 700V 15A TO-220AB
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 15A 23MHz 150W Through Hole TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUH150产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
SWITCHMODE??
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220AB
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
8 @ 10A,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
700V
Power - Max
150W
电流 - 集电极截止(最大值)
100μA
Current - Collector (Ic) (Max)
15A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
5V @ 4A,20A
频率 - 跃迁
23MHz
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BUH150
标准包装
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
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系列 SWITCHMODE??
ON Semiconductor 系列 SWITCHMODE??
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 SWITCHMODE??
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包装 管件
ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-220AB
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220AB
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB
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晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 8 @ 10A,5V
ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 8 @ 10A,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 8 @ 10A,5V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 8 @ 10A,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 700V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 700V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 700V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 700V
Power - Max 150W
ON Semiconductor Power - Max 150W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150W
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150W
电流 - 集电极截止(最大值) 100μA
ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 100μA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100μA
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Current - Collector (Ic) (Max) 15A
ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 15A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 5V @ 4A,20A
ON Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 5V @ 4A,20A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 5V @ 4A,20A
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