BUV22,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BUV22
BUV22 -
TRANS NPN 250V 40A TO-3
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
BUV22
仓库库存编号:
BUV22-ND
描述:
TRANS NPN 250V 40A TO-3
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUV22产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-204AE
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)
系列
SWITCHMODE??
包装
托盘
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-3
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
20 @ 10A,4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250V
Power - Max
250W
电流 - 集电极截止(最大值)
3mA
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1.5V @ 2.5A,20A
频率 - 跃迁
8MHz
关键词
产品资料
数据列表
BUV22
标准包装
100
BUV22ROHS替代
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
TRANS NPN 250V 40A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3
型号:
BUV22G
仓库库存编号:
BUV22GOS-NDOS-ND
别名:BUV22G-ND
BUV22GOSOS
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 10A,4V
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 2.5A,20A
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