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CPH6350-TL-E
CPH6350-TL-E -
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
CPH6350-TL-E
仓库库存编号：
CPH6350-TL-E-ND
描述：
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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CPH6350-TL-E产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
6-CPH
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
13nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
43 毫欧 @ 3A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
600pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）
漏源电压（Vdss）
30V
关键词
产品资料
数据列表
CPH6350
标准包装
3,000
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 71W（Tc） DPAK
型号：
NTD5865NLT4G
仓库库存编号：
NTD5865NLT4GOSCT-ND
别名：NTD5865NLT4GOSCT
无铅
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供应商器件封装 6-CPH
ON Semiconductor 供应商器件封装 6-CPH
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