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产品规格

封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	6-CPH
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	1.58nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	3.7 欧姆 @ 80mA，4V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	400mA，1.5A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	30V，20V
功率 - 最大值	800mW
关键词

产品资料

数据列表	CPH6635
标准包装	3,000

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 6-CPH  ON Semiconductor 供应商器件封装 6-CPH  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-CPH  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-CPH   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.58nC @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.58nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.58nC @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.58nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 欧姆 @ 80mA，4V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 欧姆 @ 80mA，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 欧姆 @ 80mA，4V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 欧姆 @ 80mA，4V   FET 类型 N 和 P 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA，1.5A  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA，1.5A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA，1.5A  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA，1.5A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  ON Semiconductor FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   漏源电压（Vdss） 30V，20V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V，20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V，20V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V，20V   功率 - 最大值 800mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 800mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 800mW  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 800mW