ECH8601M-TL-H-P,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

ECH8601M-TL-H-P - 

MOSFET 2N-CH

  • 零件状态：过时；购买截止日期：10-30-2017。可能有最低购买数量。
  • 如需报价、提交请求，请单击 此处。
ON Semiconductor ECH8601M-TL-H-P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ECH8601M-TL-H-P
仓库库存编号：
ECH8601M-TL-H-P-ND
描述：
MOSFET 2N-CH
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

ECH8601M-TL-H-P产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SMD，扁平引线  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  8-ECH  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  7.5nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  23 毫欧 @ 4A，4.5V  
  FET 类型  2 N 沟道（双）共漏  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  8A（Ta）  
  FET 功能  逻辑电平栅极，2.5V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.3V @ 1mA  
  漏源电压（Vdss）  24V  
关键词         

产品资料
标准包装 3,000

ECH8601M-TL-H-P相关搜索

封装/外壳 8-SMD，扁平引线  ON Semiconductor 封装/外壳 8-SMD，扁平引线  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SMD，扁平引线  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SMD，扁平引线   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 上次购买时间  ON Semiconductor 零件状态 上次购买时间  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 上次购买时间  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 8-ECH  ON Semiconductor 供应商器件封装 8-ECH  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-ECH  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-ECH   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 4A，4.5V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 4A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 4A，4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 4A，4.5V   FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  ON Semiconductor FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）共漏   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Ta）  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Ta）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Ta）   FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动  ON Semiconductor FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 1mA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 1mA  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 24V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 24V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 24V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 24V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号