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ECH8602M-TL-H
ECH8602M-TL-H -
MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
ECH8602M-TL-H
仓库库存编号：
ECH8602M-TL-H-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.5W Surface Mount 8-ECH
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ECH8602M-TL-H产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C（TJ）
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
供应商器件封装
8-ECH
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
7.5nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
30 毫欧 @ 3A，4.5V
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
漏源电压（Vdss）
30V
功率 - 最大值
1.5W
关键词
产品资料
数据列表
ECH8602M
标准包装
3,000
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C（TJ）
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）
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系列 -
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -
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包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 包装 带卷（TR）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）
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零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期
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供应商器件封装 8-ECH
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不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V
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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 3A，4.5V
ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 3A，4.5V
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FET 类型 2 个 N 沟道（双）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
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FET 功能 逻辑电平门
ON Semiconductor FET 功能 逻辑电平门
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -
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功率 - 最大值 1.5W
ON Semiconductor 功率 - 最大值 1.5W
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.5W
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