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ECH8651R-TL-H
ECH8651R-TL-H -
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
零件状态：过时；购买截止日期：10-30-2017。可能有最低购买数量。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
ECH8651R-TL-H
仓库库存编号：
869-1158-1-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 24V 10A 1.5W Surface Mount 8-ECH
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ECH8651R-TL-H产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
8-ECH
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
24nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
14 毫欧 @ 5A，4.5V
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
漏源电压（Vdss）
24V
功率 - 最大值
1.5W
关键词
产品资料
数据列表
ECH8651R
标准包装
1
其它名称
869-1158-1
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C（TJ）
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）
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系列 -
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包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
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供应商器件封装 8-ECH
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不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V
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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 14 毫欧 @ 5A，4.5V
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FET 类型 2 个 N 沟道（双）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
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FET 功能 逻辑电平门
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 24V
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功率 - 最大值 1.5W
ON Semiconductor 功率 - 最大值 1.5W
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.5W
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