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EFC4618R-TR
EFC4618R-TR -
MOSFET 2N-CH EFCP1818
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
EFC4618R-TR
仓库库存编号:
EFC4618R-TR-ND
描述:
MOSFET 2N-CH EFCP1818
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1.6W Surface Mount EFCP1818-4CC-037
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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EFC4618R-TR产品属性
产品规格
封装/外壳
4-XBGA,4-FCBGA
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
EFCP1818-4CC-037
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
-
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
漏源电压(Vdss)
-
功率 - 最大值
1.6W
关键词
产品资料
标准包装
5,000
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制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 带卷(TR)
ON Semiconductor 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
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供应商器件封装 EFCP1818-4CC-037
ON Semiconductor 供应商器件封装 EFCP1818-4CC-037
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 EFCP1818-4CC-037
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -
ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -
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FET 类型 2 个 N 沟道(双)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
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FET 功能 标准
ON Semiconductor FET 功能 标准
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) -
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功率 - 最大值 1.6W
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