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EFC4627R-TR
EFC4627R-TR -
MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
EFC4627R-TR
仓库库存编号:
EFC4627R-TR-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.4W 4-EFCP (1.01x1.01)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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EFC4627R-TR产品属性
产品规格
封装/外壳
4-XFBGA,FCBGA
制造商
On Semiconductor
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
4-EFCP (1.01x1.01)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
13.4nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
-
FET 类型
2 N 沟道(双)共漏
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
漏源电压(Vdss)
-
功率 - 最大值
1.4W
关键词
产品资料
数据列表
EFC4627R
标准包装
8,000
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封装/外壳 4-XFBGA,FCBGA
ON Semiconductor 封装/外壳 4-XFBGA,FCBGA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 4-XFBGA,FCBGA
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 4-XFBGA,FCBGA
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor
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工作温度 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 带卷(TR)
ON Semiconductor 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 4-EFCP (1.01x1.01)
ON Semiconductor 供应商器件封装 4-EFCP (1.01x1.01)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 4-EFCP (1.01x1.01)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 4-EFCP (1.01x1.01)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.4nC @ 4.5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.4nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.4nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -
ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -
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FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
ON Semiconductor FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
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FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
ON Semiconductor FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
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漏源电压(Vdss) -
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功率 - 最大值 1.4W
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.4W
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