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EFC6601R-TR
EFC6601R-TR -
MOSFET 2N-CH EFCP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
EFC6601R-TR
仓库库存编号：
EFC6601R-TROSCT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH EFCP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2W Surface Mount 6-EFCP (2.7x1.81)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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EFC6601R-TR产品属性
产品规格
封装/外壳
6-XFBGA
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
6-EFCP（2.7x1.81）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
48nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
-
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
FET 功能
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
漏源电压（Vdss）
-
功率 - 最大值
2W
关键词
产品资料
数据列表
EFC6601R
标准包装
1
其它名称
EFC6601R-TROSCT
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封装/外壳 6-XFBGA
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-XFBGA
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-XFBGA
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）
系列 -
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -
包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）
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零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售
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供应商器件封装 6-EFCP（2.7x1.81）
ON Semiconductor 供应商器件封装 6-EFCP（2.7x1.81）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-EFCP（2.7x1.81）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-EFCP（2.7x1.81）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V
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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -
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FET 类型 2 个 N 沟道（双）
ON Semiconductor FET 类型 2 个 N 沟道（双）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -
ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
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FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
ON Semiconductor FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -
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漏源电压（Vdss） -
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功率 - 最大值 2W
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W
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