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• 零件状态：过时；购买截止日期：10-30-2017。可能有最低购买数量。

产品规格

封装/外壳	6-SMD，无引线
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	上次购买时间
供应商器件封装	6-CSP （1.77x3.54）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	27nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	2 N 沟道（双）非对称型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	-
功率 - 最大值	2.5W
关键词

产品资料

标准包装	5,000

封装/外壳 6-SMD，无引线  ON Semiconductor 封装/外壳 6-SMD，无引线  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-SMD，无引线  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-SMD，无引线   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -  ON Semiconductor 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 上次购买时间  ON Semiconductor 零件状态 上次购买时间  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 上次购买时间  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 6-CSP （1.77x3.54）  ON Semiconductor 供应商器件封装 6-CSP （1.77x3.54）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-CSP （1.77x3.54）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-CSP （1.77x3.54）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  ON Semiconductor FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动  ON Semiconductor FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   漏源电压（Vdss） -  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） -   功率 - 最大值 2.5W  ON Semiconductor 功率 - 最大值 2.5W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.5W  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.5W