EFC6612R-A-TF,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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EFC6612R-A-TF - 

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

  • 零件状态:过时;购买截止日期:10-30-2017。可能有最低购买数量。
ON Semiconductor EFC6612R-A-TF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
EFC6612R-A-TF
仓库库存编号:
EFC6612R-A-TF-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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EFC6612R-A-TF产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-SMD,无引线  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  6-CSP (1.77x3.54)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  27nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  -  
  FET 类型  2 N 沟道(双)非对称型  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  -  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  逻辑电平栅极,2.5V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  -  
  漏源电压(Vdss)  -  
  功率 - 最大值  2.5W  
关键词         

产品资料
标准包装 5,000

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