J110G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - JFET
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - JFET
>
J110G
J110G -
JFET N-CH 25V 0.31W TO92
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
J110G
仓库库存编号：
J110G-ND
描述：
JFET N-CH 25V 0.31W TO92
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 25V 310mW Through Hole TO-92-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
J110G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
135°C（TJ）
系列
-
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
Power - Max
310mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
10mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
500mV @ 1μA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
25V
电阻 - RDS（开）
18 欧姆
关键词
产品资料
数据列表
J110
标准包装
1,000
J110G相关搜索
封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - JFET 安装类型 通孔
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 通孔
工作温度 135°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 135°C（TJ）
晶体管 - JFET 工作温度 135°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 135°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - JFET 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -
包装 散装
ON Semiconductor 包装 散装
晶体管 - JFET 包装 散装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 散装
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-92-3
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Power - Max 310mW
ON Semiconductor Power - Max 310mW
晶体管 - JFET Power - Max 310mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 310mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 10mA @ 15V
ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 10mA @ 15V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 10mA @ 15V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 10mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 500mV @ 1μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 500mV @ 1μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 500mV @ 1μA
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 500mV @ 1μA
电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V
ON Semiconductor 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V
晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V
电阻 - RDS（开） 18 欧姆
ON Semiconductor 电阻 - RDS（开） 18 欧姆
晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 18 欧姆
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 18 欧姆
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
