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J111RLRPG
J111RLRPG -
JFET N-CH 35V 0.35W TO92
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
J111RLRPG
仓库库存编号：
J111RLRPG-ND
描述：
JFET N-CH 35V 0.35W TO92
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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J111RLRPG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
Power - Max
350mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
20mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
3V @ 1μA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
35V
电阻 - RDS（开）
30 欧姆
关键词
产品资料
数据列表
J111, 12
PCN 过时产品/ EOL
Multiple Devices 21/Jun/2007
标准包装
2,000
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封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - JFET 安装类型 通孔
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 通孔
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
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系列 -
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晶体管 - JFET 系列 -
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包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 包装 带卷（TR）
晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）
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零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-92-3
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Power - Max 350mW
ON Semiconductor Power - Max 350mW
晶体管 - JFET Power - Max 350mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 350mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 20mA @ 15V
ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 20mA @ 15V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 20mA @ 15V
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不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 3V @ 1μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 3V @ 1μA
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电压 - 击穿（V（BR）GSS） 35V
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晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 35V
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电阻 - RDS（开） 30 欧姆
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晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 30 欧姆
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