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MCH3914-8-TL-H
MCH3914-8-TL-H -
JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3
非库存货
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
MCH3914-8-TL-H
仓库库存编号：
MCH3914-8-TL-H-ND
描述：
JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 25mA @ 5V 300mW Surface Mount 3-MCPH
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MCH3914-8-TL-H产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70，SOT-323
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C（TJ）
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
供应商器件封装
3-MCPH
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4.9pF @ 5V
Power - Max
300mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
25mA @ 5V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
600mV @ 10μA
电阻 - RDS（开）
-
漏极电流（Id） - 最大值
50mA
关键词
产品资料
数据列表
MCH3914
标准包装
3,000
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封装/外壳 SC-70，SOT-323
ON Semiconductor 封装/外壳 SC-70，SOT-323
晶体管 - JFET 封装/外壳 SC-70，SOT-323
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 SC-70，SOT-323
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）
晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）
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系列 -
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包装 带卷（TR）
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晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）
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零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - JFET 零件状态 在售
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供应商器件封装 3-MCPH
ON Semiconductor 供应商器件封装 3-MCPH
晶体管 - JFET 供应商器件封装 3-MCPH
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 3-MCPH
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4.9pF @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4.9pF @ 5V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4.9pF @ 5V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4.9pF @ 5V
Power - Max 300mW
ON Semiconductor Power - Max 300mW
晶体管 - JFET Power - Max 300mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 300mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 25mA @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 25mA @ 5V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 25mA @ 5V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 25mA @ 5V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 600mV @ 10μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 600mV @ 10μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 600mV @ 10μA
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 600mV @ 10μA
电阻 - RDS（开） -
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晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -
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漏极电流（Id） - 最大值 50mA
ON Semiconductor 漏极电流（Id） - 最大值 50mA
晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 50mA
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