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MCH5908G-TL-E
MCH5908G-TL-E -
JFET 2N-CH 0.3W MCPH5
不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
MCH5908G-TL-E
仓库库存编号：
MCH5908G-TL-EOSCT-ND
描述：
JFET 2N-CH 0.3W MCPH5
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET 2 N-Channel (Dual) 10mA @ 5V 300mW Surface Mount 5-MCPH
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MCH5908G-TL-E产品属性
产品规格
封装/外壳
5-SMD，扁平引线
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
5-MCPH
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
10.5pF @ 5V
Power - Max
300mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
10mA @ 5V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
300mV @ 100μA
电阻 - RDS（开）
-
漏极电流（Id） - 最大值
50mA
关键词
产品资料
数据列表
MCH5908
标准包装
1
其它名称
MCH5908G-TL-EOSCT
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封装/外壳 5-SMD，扁平引线
ON Semiconductor 封装/外壳 5-SMD，扁平引线
晶体管 - JFET 封装/外壳 5-SMD，扁平引线
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 5-SMD，扁平引线
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）
晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - JFET 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -
包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）
零件状态 不可用于新设计
ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - JFET 零件状态 不可用于新设计
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 5-MCPH
ON Semiconductor 供应商器件封装 5-MCPH
晶体管 - JFET 供应商器件封装 5-MCPH
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 5-MCPH
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
ON Semiconductor FET 类型 2 个 N 沟道（双）
晶体管 - JFET FET 类型 2 个 N 沟道（双）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 2 个 N 沟道（双）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10.5pF @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10.5pF @ 5V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10.5pF @ 5V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10.5pF @ 5V
Power - Max 300mW
ON Semiconductor Power - Max 300mW
晶体管 - JFET Power - Max 300mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 300mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 10mA @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 10mA @ 5V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 10mA @ 5V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 10mA @ 5V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 300mV @ 100μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 300mV @ 100μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 300mV @ 100μA
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 300mV @ 100μA
电阻 - RDS（开） -
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晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -
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漏极电流（Id） - 最大值 50mA
ON Semiconductor 漏极电流（Id） - 最大值 50mA
晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 50mA
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