MCH6661-TL-W,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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MCH6661-TL-W - 

MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363

ON Semiconductor MCH6661-TL-W
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MCH6661-TL-W
仓库库存编号：
MCH6661-TL-WOSCT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.8A 800mW Surface Mount SC-88FL/ MCPH6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MCH6661-TL-W产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-SMD，扁平引线  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SC-88FL/ MCPH6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  2nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  188 毫欧 @ 900mA，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  1.8A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  88pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平栅极，4V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.6V @ 1mA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  800mW  
关键词         

产品资料
数据列表 MCH6661
标准包装 1
其它名称 MCH6661-TL-WOSCT

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