MJB5742T4G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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MJB5742T4G
MJB5742T4G -
TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
不提供增值包装;备有另选包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
MJB5742T4G
仓库库存编号:
MJB5742T4GOSCT-ND
描述:
TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington Surface Mount D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MJB5742T4G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
D2PAK
晶体管类型
NPN - 达林顿
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
200 @ 4A,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400V
Power - Max
100W
电流 - 集电极截止(最大值)
-
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
3V @ 400mA,8A
频率 - 跃迁
-
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MJB5742T4G
标准包装
1
其它名称
MJB5742T4GOSCT
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 已不再提供
ON Semiconductor 零件状态 已不再提供
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 已不再提供
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 已不再提供
供应商器件封装 D2PAK
ON Semiconductor 供应商器件封装 D2PAK
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 D2PAK
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 D2PAK
晶体管类型 NPN - 达林顿
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN - 达林顿
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 4A,5V
ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 4A,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 4A,5V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 4A,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Power - Max 100W
ON Semiconductor Power - Max 100W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 100W
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 100W
电流 - 集电极截止(最大值) -
ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) -
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) -
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Current - Collector (Ic) (Max) 8A
ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 8A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 3V @ 400mA,8A
ON Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 3V @ 400mA,8A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 3V @ 400mA,8A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -
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