MJD112T4,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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MJD112T4 - 

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor MJD112T4
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MJD112T4
仓库库存编号：
MJD112T4OSCT-ND
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MJD112T4产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -65°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  DPAK-3  
  晶体管类型  NPN - 达林顿  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  1000 @ 2A，3V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  100V  
  Power - Max  1.75W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  20μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  2A  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  3V @ 40mA，4A  
  频率 - 跃迁  25MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 MJD112,117
标准包装 1
其它名称 MJD112T4OSCT

MJD112T4ROHS替代

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