MJD31CT4G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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MJD31CT4G
MJD31CT4G -
TRANS NPN 100V 3A DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
MJD31CT4G
仓库库存编号:
MJD31CT4GOSCT-ND
描述:
TRANS NPN 100V 3A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MJD31CT4G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
DPAK-3
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
10 @ 3A,4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Power - Max
1.56W
电流 - 集电极截止(最大值)
50μA
Current - Collector (Ic) (Max)
3A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1.2V @ 375mA,3A
频率 - 跃迁
3MHz
关键词
产品资料
数据列表
MJD31 (NPN), MJD32 (PNP)
标准包装
1
其它名称
MJD31CT4GOSCT
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