MJD350T4G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MJD350T4G - 

TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

ON Semiconductor MJD350T4G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MJD350T4G
仓库库存编号：
MJD350T4GOSCT-ND
描述：
TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 1.56W Surface Mount DPAK-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

MJD350T4G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -65°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK-3  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  30 @ 50mA，10V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  300V  
  Power - Max  1.56W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  500mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  -  
  频率 - 跃迁  -  
关键词         

产品资料
数据列表 MJD340,350
标准包装 1
其它名称 MJD350T4GOS
MJD350T4GOS-ND
MJD350T4GOSCT

MJD350T4G您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

MJD350T4G相关搜索

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK-3   晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 50mA，10V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 50mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 50mA，10V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 50mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V   Power - Max 1.56W  ON Semiconductor Power - Max 1.56W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.56W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.56W   电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA   Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -   频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号