MJD45H11-1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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MJD45H11-1G
MJD45H11-1G -
TRANS PNP 80V 8A IPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
MJD45H11-1G
仓库库存编号:
MJD45H11-1GOS-ND
描述:
TRANS PNP 80V 8A IPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Through Hole I-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MJD45H11-1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
I-Pak
晶体管类型
PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
40 @ 4A,1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Power - Max
1.75W
电流 - 集电极截止(最大值)
1μA
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1V @ 400mA,8A
频率 - 跃迁
90MHz
关键词
产品资料
数据列表
MJD44H11, MJD45H11
标准包装
75
其它名称
MJD45H11-1GOS
MJD45H111G
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Through Hole I-Pak
型号:
MJD44H11-1G
仓库库存编号:
MJD44H11-1GOS-ND
别名:MJD44H11-1GOS
MJD44H111G
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