MJD50T4G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
>
MJD50T4G
MJD50T4G -
TRANS NPN 400V 1A DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
MJD50T4G
仓库库存编号:
MJD50T4GOSCT-ND
描述:
TRANS NPN 400V 1A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
MJD50T4G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
DPAK-3
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
30 @ 300mA,10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400V
Power - Max
1.56W
电流 - 集电极截止(最大值)
200μA
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1V @ 200mA,1A
频率 - 跃迁
10MHz
关键词
产品资料
数据列表
MJD47, 50
标准包装
1
其它名称
MJD50T4GOS
MJD50T4GOS-ND
MJD50T4GOSCT
MJD50T4G您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
IC 8-BIT TRNSTR 15KV ESD 20TSSOP
详细描述:Voltage Level Translator Bidirectional Circuit 8 Channel 100Mbps 20-TSSOP
型号:
TXB0108PWR
仓库库存编号:
296-21527-1-ND
别名:296-21527-1
无铅
搜索
Abracon LLC
OSC MEMS 20.000MHZ CMOS SMD
详细描述:表面贴装 振荡器 20MHz CMOS MEMS(硅) 2.25 V ~ 3.6 V 35mA 启用/禁用
型号:
ASFLMPC-20.000MHZ-Z-T
仓库库存编号:
535-9526-1-ND
别名:535-9526-1
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PNP 350V 1A DPAK
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3
型号:
MJD5731T4G
仓库库存编号:
MJD5731T4GOSCT-ND
别名:MJD5731T4GOSCT
无铅
搜索
Bourns Inc.
CMC 22UH 200MA 2LN 1 KOHM SMD
详细描述:22μH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 1 kOhm @ 10MHz 200mA DCR 2.65 Ohm
型号:
SRF4532-220Y
仓库库存编号:
SRF4532-220YCT-ND
别名:SRF4532-220YCT
无铅
搜索
Electronic Assembly GmbH
LCD MOD GRAPH 240X128 BK/WT
详细描述:Graphic LCD Display Module Transflective Black FSTN - Film Super-Twisted Nematic I2C, RS-232, SPI 240 x 128
型号:
EA EDIP240J-7LW
仓库库存编号:
1481-1115-ND
别名:1481-1115
无铅
搜索
MJD50T4G相关搜索
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 DPAK-3
ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK-3
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK-3
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 300mA,10V
ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 300mA,10V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 300mA,10V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 300mA,10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Power - Max 1.56W
ON Semiconductor Power - Max 1.56W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.56W
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.56W
电流 - 集电极截止(最大值) 200μA
ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 200μA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 200μA
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 200μA
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 1A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 200mA,1A
ON Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 200mA,1A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 200mA,1A
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 200mA,1A
频率 - 跃迁 10MHz
ON Semiconductor 频率 - 跃迁 10MHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 10MHz
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 10MHz
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号