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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	SWITCHMODE??
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220AB
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	14 @ 1A，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450V
Power - Max	125W
电流 - 集电极截止（最大值）	100μA
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	700mV @ 900mA，4.5V
频率 - 跃迁	13MHz
关键词

产品资料

数据列表	MJE18008, MJF18008
标准包装	50
其它名称	MJE18008GOS

封装/外壳 TO-220-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 SWITCHMODE??  ON Semiconductor 系列 SWITCHMODE??  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 SWITCHMODE??  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 SWITCHMODE??   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220AB  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 14 @ 1A，5V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 14 @ 1A，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 14 @ 1A，5V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 14 @ 1A，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V   Power - Max 125W  ON Semiconductor Power - Max 125W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 125W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 125W   电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA   Current - Collector (Ic) (Max) 8A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 8A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 900mA，4.5V  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 900mA，4.5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 900mA，4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 900mA，4.5V   频率 - 跃迁 13MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 13MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 13MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 13MHz