MJE5730G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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MJE5730G
MJE5730G -
TRANS PNP 300V 1A TO220AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
MJE5730G
仓库库存编号:
MJE5730GOS-ND
描述:
TRANS PNP 300V 1A TO220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MJE5730G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
晶体管类型
PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
30 @ 300mA,10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300V
Power - Max
40W
电流 - 集电极截止(最大值)
1mA
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1V @ 200mA,1A
频率 - 跃迁
10MHz
关键词
产品资料
数据列表
MJE5730, 31(A)
标准包装
50
其它名称
MJE5730GOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
FZT658TA
仓库库存编号:
FZT658CT-ND
别名:FZT658
FZT658CT
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 400V 0.5A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 500mA 50MHz 2W Surface Mount SOT-223
型号:
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仓库库存编号:
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别名:FZT758
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详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 500mA 50MHz 1W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
型号:
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仓库库存编号:
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TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 500mA 50MHz 1W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
型号:
ZTX758
仓库库存编号:
ZTX758-ND
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TRANS PNP 375V 1A TO220AB
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 375V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB
型号:
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仓库库存编号:
MJE5731AGOS-ND
别名:MJE5731AGOS
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ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 10MHz
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