MJE5731AG,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
>
MJE5731AG
MJE5731AG -
TRANS PNP 375V 1A TO220AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
MJE5731AG
仓库库存编号:
MJE5731AGOS-ND
描述:
TRANS PNP 375V 1A TO220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 375V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
MJE5731AG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
晶体管类型
PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
30 @ 300mA,10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
375V
Power - Max
40W
电流 - 集电极截止(最大值)
1mA
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1V @ 200mA,1A
频率 - 跃迁
10MHz
关键词
产品资料
数据列表
MJE5730, 31(A)
标准包装
50
其它名称
MJE5731AGOS
MJE5731AG您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
TRANS PNP 300V 1A TO220AB
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB
型号:
MJE5730G
仓库库存编号:
MJE5730GOS-ND
别名:MJE5730GOS
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS NPN 300V 0.5A SOT23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 500mA 50MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
MMBTA42LT1G
仓库库存编号:
MMBTA42LT1GOSCT-ND
别名:MMBTA42LT1GOSCT
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PNP 350V 1A TO-220AB
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB
型号:
MJE5731G
仓库库存编号:
MJE5731GOS-ND
别名:MJE5731G-ND
MJE5731GOS
无铅
搜索
Wurth Electronics Inc.
FERRITE BEAD 300 OHM 0603 1LN
型号:
742792641
仓库库存编号:
732-1592-1-ND
别名:732-1592-1
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
BC849CLT1G
仓库库存编号:
BC849CLT1GOSCT-ND
别名:BC849CLT1GOSCT
无铅
搜索
MJE5731AG相关搜索
封装/外壳 TO-220-3
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
包装 管件
ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件
零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-220AB
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220AB
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 300mA,10V
ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 300mA,10V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 300mA,10V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 300mA,10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 375V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 375V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 375V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 375V
Power - Max 40W
ON Semiconductor Power - Max 40W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 40W
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 40W
电流 - 集电极截止(最大值) 1mA
ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 1mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 1mA
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 1A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 200mA,1A
ON Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 200mA,1A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 200mA,1A
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 200mA,1A
频率 - 跃迁 10MHz
ON Semiconductor 频率 - 跃迁 10MHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 10MHz
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 10MHz
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号