MJE802G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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MJE802G - 

TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA

ON Semiconductor MJE802G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MJE802G
仓库库存编号：
MJE802GOS-ND
描述：
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

MJE802G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-225AA，TO-126-3  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-225AA  
  晶体管类型  NPN - 达林顿  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  750 @ 1.5A，3V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  80V  
  Power - Max  40W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  4A  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  2.5V @ 30mA，1.5A  
  频率 - 跃迁  -  
关键词         

产品资料
数据列表 MJE700-703,800-803
标准包装 500
其它名称 MJE802GOS

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