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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220FP
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	20 @ 4A，4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	90V
Power - Max	2W
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA
Current - Collector (Ic) (Max)	10A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	2.5V @ 3.3A，10A
频率 - 跃迁	2MHz
关键词

产品资料

数据列表	MJF3055,2955
标准包装	50

封装/外壳 TO-220-3 整包  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220FP  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220FP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220FP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220FP   晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 4A，4V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 4A，4V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 4A，4V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 4A，4V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 90V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 90V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 90V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 90V   Power - Max 2W  ON Semiconductor Power - Max 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA   Current - Collector (Ic) (Max) 10A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 10A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 3.3A，10A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 3.3A，10A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 3.3A，10A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 3.3A，10A   频率 - 跃迁 2MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 2MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 2MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 2MHz