MMBFJ175LT1,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - JFET
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - JFET
>
MMBFJ175LT1
MMBFJ175LT1 -
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
MMBFJ175LT1
仓库库存编号：
MMBFJ175LT1OSCT-ND
描述：
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
MMBFJ175LT1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
FET 类型
P 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
11pF @ 10V（VGS）
Power - Max
225mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
7mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
3V @ 10nA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
30V
电阻 - RDS（开）
125 欧姆
关键词
产品资料
数据列表
MMBFJ175LT1
标准包装
1
其它名称
MMBFJ175LT1OSCT
MMBFJ175LT1ROHS替代
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
详细描述：JFET P-Channel 7mA @ 15V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
MMBFJ175LT1G
仓库库存编号：
MMBFJ175LT1GOSCT-ND
别名：MMBFJ175LT1GOSCT
无铅
搜索
MMBFJ175LT1相关搜索
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - JFET 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -
包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
FET 类型 P 沟道
ON Semiconductor FET 类型 P 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11pF @ 10V（VGS）
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11pF @ 10V（VGS）
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11pF @ 10V（VGS）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11pF @ 10V（VGS）
Power - Max 225mW
ON Semiconductor Power - Max 225mW
晶体管 - JFET Power - Max 225mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 225mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 7mA @ 15V
ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 7mA @ 15V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 7mA @ 15V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 7mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 3V @ 10nA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 3V @ 10nA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 3V @ 10nA
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 3V @ 10nA
电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V
ON Semiconductor 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V
晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V
电阻 - RDS（开） 125 欧姆
ON Semiconductor 电阻 - RDS（开） 125 欧姆
晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 125 欧姆
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 125 欧姆
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
