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MMBFU310LT1
MMBFU310LT1 -
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
MMBFU310LT1
仓库库存编号：
MMBFU310LT1OSCT-ND
描述：
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 25V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MMBFU310LT1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5pF @ 10V（VGS）
漏源电压（Vdss）
25V
Power - Max
225mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
24mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
2.5V @ 1nA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
25V
电阻 - RDS（开）
-
关键词
产品资料
数据列表
MMBFU310LT1
标准包装
1
其它名称
MMBFU310LT1OSCT
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封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
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系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - JFET 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -
包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5pF @ 10V（VGS）
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5pF @ 10V（VGS）
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5pF @ 10V（VGS）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5pF @ 10V（VGS）
漏源电压（Vdss） 25V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 25V
晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 25V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 25V
Power - Max 225mW
ON Semiconductor Power - Max 225mW
晶体管 - JFET Power - Max 225mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 225mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 24mA @ 10V
ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 24mA @ 10V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 24mA @ 10V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 24mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 2.5V @ 1nA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 2.5V @ 1nA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 2.5V @ 1nA
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电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V
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晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V
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