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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	20 @ 50mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	350V
Power - Max	225mW
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	200MHz
关键词

产品资料

数据列表	MMBT6517LT1, 3
标准包装	10,000

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）  ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 50mA，10V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 50mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 50mA，10V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 50mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V   Power - Max 225mW  ON Semiconductor Power - Max 225mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 225mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 225mW   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 5mA，50mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 5mA，50mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 200MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz