MMBV109LT1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
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MMBV109LT1G
MMBV109LT1G -
DIODE TUNING SS 30V SOT23
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
MMBV109LT1G
仓库库存编号:
MMBV109LT1GOSCT-ND
描述:
DIODE TUNING SS 30V SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Varactor Single 30V Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MMBV109LT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
125°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
二极管类型
单一
不同?Vr,F 时的电容
32pF @ 3V,1MHz
电容比
6.5
电容比条件
C3/C25
不同 Vr,F 时的 Q 值
200 @ 3V,50MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
30V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
MMBV109LT1GOSCT
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装
工作温度 125°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 125°C(TJ)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 125°C(TJ)
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 125°C(TJ)
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -
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包装 剪切带(CT)
ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
二极管类型 单一
ON Semiconductor 二极管类型 单一
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一
不同?Vr,F 时的电容 32pF @ 3V,1MHz
ON Semiconductor 不同?Vr,F 时的电容 32pF @ 3V,1MHz
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 32pF @ 3V,1MHz
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 32pF @ 3V,1MHz
电容比 6.5
ON Semiconductor 电容比 6.5
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 6.5
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 6.5
电容比条件 C3/C25
ON Semiconductor 电容比条件 C3/C25
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C3/C25
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C3/C25
不同 Vr,F 时的 Q 值 200 @ 3V,50MHz
ON Semiconductor 不同 Vr,F 时的 Q 值 200 @ 3V,50MHz
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 200 @ 3V,50MHz
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 200 @ 3V,50MHz
Voltage - Peak Reverse (Max) 30V
ON Semiconductor Voltage - Peak Reverse (Max) 30V
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 30V
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